【福利】AMD5000系列主流内存颗粒高频作业贴

　　【福利】AMD5000系列主流内存颗粒高频作业贴不出无意的线系列的末了一篇帖子了，假设能如愿收到5700G也许会再更一篇APU的。这一代的AMD确实本能刁悍，特别是单核本能。固然目前仍是会有少许小题目，但我感觉并不影响它的刁悍

　　说到内存，就不得不提FCLK。从ZEN2 AMD 3000 系列开首，正在AMD平台上念要玩好内存就必必要解析FCLK合联的学问，对FCLK还不是很解析的小伙伴能够去看看我之前合于FCLK的帖子。简陋的说从ZEN2开首AMD平台的内存频率和FCLK要跑1:1同步形式才华得到最大的效力，好比FCLK1900mhz,内存跑3800mhz。

　　因此念要怡悦的超内存就肯定要确定好FCLK的太平性，良众小伙伴超完内存后，MT或者TM5高压能够过，不过平时用时常的蓝屏，重启，死机。除去whea18号缺点，涌现这种景象的首恶祸首约略率是因为FCLK不稳。

　　（以下实质仅针对AMD 5000系列台式桌面系列，非APU，非供职器，非札记本)

　　首优秀入体系后耳机和声音无破音，能过内存高压测试（MT或TM5高压），正在这个根蒂上坚持CPU合联参数正在主板BIOS默认形态下的跑CPUZ的本能测试，能够众跑几次取均匀值，看看CPUZ的单核和众核分数是否抵达寻常的尺度，假设分数不寻常那么极大也许也是FCLK不稳导致的，假设前面这些都过了，那么末了你跑一下5-10分钟的R20再看看会不会涌现死机蓝屏以及R20的分数是否寻常，假设默认形态下的CPU创立过不了R20 5-10分钟或者分数不同较大，那么很大水准上也是FCLK的题目

　　和FCLK合联的合头电压有5个，soc，vddgccd，vddgiod，vddp，1p8（pll），你能够实验调动这5个电压来找到让你现有FCLK太平的值，当然也不是全部FCLK都能通过调电压稳的住，假设调完上述电压FCLK不稳，除了调动这5个电压外也能够通过低浸FCLK来得到FCLK的太平性。目前以我的粗浅的履历来看，基础上能通过以上的电压调稳你能开的最高进体系的FCLK值-33mhz，好比你能FCLK2200进体系，外面上就能稳住2166的FCLK

　　四、FCLK很稳，Fclk和内存参数的创立也没题目不过内存效力偏低何如办？

　　仍是soc，vddgccd，vddgiod，vddp，1p8（pll）这五个电压的调动，日常通过SOC和VDDGCCD就可能找到内存效力最佳的点。完全的操作即是调完电压后去跑aida64的延迟，有兴味的小伙伴能够去B站观察林大的【板廠沒有說的奥妙~密技急速抓出讓你又愛又恨的SOC電壓!!!】这期视频，视频链接我就不发了免得被体系删贴。

　　功课超的好，效力没不快！正在我AMD5000系列CPU超频下篇里我仍旧写过若何抄功课的环节，这里再反复一下。

　　第一步，正在FCLK太平的条件下，通过新版台风软件去查看你内存的颗粒，并找到网上的百般和你同颗粒且通过TM5或者MT高压测试的功课，这里提防有些时刻台风软件的识别并不无误，因此就要通过正在网上找原料或者拆马甲的体例来确定你手里内存无误的颗粒消息。（所谓的内存功课无需BIOS里内存参数的创立图，有zentiming的截图就行，等熟习了内存超频此后有aida64的主时序图就够了）

　　tips：有些同型号内存颗粒间也许存正在较大不同，找功课的时刻尽量把上限和下限的功课都找到，好比三星 5wb bcpb强的强死，捞的捞死

　　第二步，把zentiming的功课图保全正在手机里，进入主板BIOS内存创立栏目内先把下图①号记号的参数和内存电压填到BIOS里，合掉Tsme和powerdownmode（特地要紧）其他没提到的内存参数坚持自愿，然后正在BIOS里存个档，保全退出晚进体系跑TM5高压或者MT内存测试，这里举荐用TM5高压速测版本-TM5 1USMUS V3版。通过晚进入第三步，假设这里报错，提升0.025V电压，把TRCDRD数字+1然后再测TM5高压，假设还报错那么持续正在内存平和电压边界内扩充电压，并提升TCL和TRCDRD的数字，并坚持TRAS=TCL+TRCDRD+2,TRC=TRAS+TRCD。

　　第三步，把②号职位的参数填到BIOS内存创立相应的栏目中，这内部trfc的数值和内存效力特别是延迟有很大的干系，twr和内存的读写有肯定的干系，tfaw和内存跑测试期间有很大的干系。这里首要压的参数是trfc，twr和trrds，trrdl，tfaw（这三个是一组联动参数），其他参数放自愿就行。调完记得存档，然晚进体系高压TM5伺候，假设这时报错，那么把②号位参数完全auto，只抄trfc，再跑高压TM5，假设持续报错就以10为一档提升trfc的值，加到过测为止。②号位最要紧的即是trfc的值，其他放自愿也没啥太大的影响

　　第四步，把③号位trdrdscl和twrwrscl的参数填入bios，tcwl和trtp放自愿。存档后跑TM5，假设可是就把这两个scl参数不同+1再跑TM5，过测后能够实验把TRTP压到TWR的一半，好比TWR是12，我就把TRTP压到6，云云的效力会稍好少许。这里最要紧的参数是两个SCL，末了跑TM5 ex版做个最终测试。通过的话，祝贺你功课模仿胜利。大局部的同窗内存功课到这里就能够了，念再强那么少许的小伙伴持续往下看。

　　第五步，把④号位完全参数填入bios，把GDM紧闭，CMD(CR)开2T或者1T，跑TM5高压，报错的话就正在平和电压边界内提升0.025V的内存电压，再测TM5高压。假设不稳现时的CMD（CR）值那就降一档，好比2T何如都不稳，那么就你痛速退回素来跑稳的GDM1T用。

　　合于何如抄功课的周密教程即是这么众了，因为这篇著作首要仍是助众人更好的抄功课，少许道理不会涉及到，看待DDR4内存念要有更深解析的小伙伴能够去看看我之前的帖子，特别是3000系列超频指北那篇。

　　正打算开首超内存，正在各颗粒间摇曳的小伙伴，能够通过以下的功课，找到本人心中的最适合本人的那一款“神条”

　　本篇功课都是平时用功课，对极致效力有恳求的小伙伴能够正在帖子下方留言商酌或者秀出你的极致结果

　　有预算，笃爱玩内存，那么当下特挑三星B仍是你最好的采取。百般参数给电就能压，倡议1.6V以内平时用

　　秘密的子民法拉利，比bdie弱少许，不过性价比不错，高频下TRFC参数也有不错的再现，加到1.5V能够把TCL压进16，但温度有点高，倡议1.45V驾驭平时用

　　海力士CJR-VKC 4266功课，有一个缺点，忖度是tfaw得+2或者是温度，我手里这对CJR有点妖，TWAF压不下去，并且很容报错，不过TRCD还能够，跑4066能够压到20，trfc也还过得去，倡议1.45V驾驭平时用

　　镁光c9blm 4266功课，镁光Edie里对比好的颗粒，正在tcl，trcd两个参数优于c9bjz和c9bkv。对比吃压，发烧比c9bjz要低少许。举荐1.55V驾驭平时用

　　愿望众人众众分享功课，让更众必要的小伙伴都能正在这里得到超频的得意和内存效力的宏伟擢升