DDR6内存首曝：容量、性能大增

　　DDR6内存首曝：容量、性能大增当下，DDR5内存还远未到要主流普及的水准。只是，DRAM内存芯片的头部厂商们一经开端DDR6研造了。

　　日前正在韩邦水原举办的一场研讨会上，三星测试与体例封装副总裁Younggwan Ko示意，为适配半导体存储产物的功能的拉长，封装时间必需一贯前进。

　　材料显示，MSAP开初使用于IC载板高厉紧线道创造，技法是最先正在附有超薄底铜的基板上贴合干膜应用正片举行图形变动，再通过图形电镀加成造成线道，终末去除干膜和底铜落成高厉紧布线，以完成擢升PCB的高频高速功能。

　　Ko指出，DDR6的存储容量和经管速率将大幅扩充，须要更众的堆叠层数，对封装时间来说既是机会也是寻事。

　　底细上，固然出货上还是是DRAM龙头垂老，但三星正在时间拓荒上确凿映现掉队，扔开上文的MSAP，1a DRAM芯片量产进度也不足SK海力士和美光。

　　值得一提的是，按照开始爆料，DDR6内存的频率估计正在12~17GHz，问世最少还要5年年华。